Buy Renesas Electronics America RJK0601DPN-E0#T2 MOSFET N-CH 60V 110A TO220

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

RJK0601DPN-E0#T2

MOSFET N-CH 60V 110A TO220

Numărul piesei

RJK0601DPN-E0#T2

Producator/Marca

Renesas Electronics America

Serie

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-220-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-220AB

Disiparea puterii (max.)

200W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

110A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

141nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 38907 PCS

Informații de contact