Buy Renesas Electronics America RJK03C1DPB-00#J5 MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

RJK03C1DPB-00#J5

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

Numărul piesei

RJK03C1DPB-00#J5

Producator/Marca

Renesas Electronics America

Serie

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SC-100, SOT-669

Pachetul dispozitivului furnizorului

LFPAK

Disiparea puterii (max.)

65W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Schottky Diode (Body)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

60A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 37065 PCS

Informații de contact