Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
NTMFD4C20NT1G

NTMFD4C20NT1G

MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
Numărul piesei
NTMFD4C20NT1G
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Cut Tape (CT)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
8-PowerTDFN
Putere - Max
1.09W, 1.15W
Pachetul dispozitivului furnizorului
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Tip FET
2 N-Channel (Dual)
Caracteristica FET
Standard
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
9.1A, 13.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
970pF @ 15V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 11115 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale NTMFD4C20NT1G
NTMFD4C20NT1G Componente electronice
NTMFD4C20NT1G Vânzări
NTMFD4C20NT1G Furnizor
NTMFD4C20NT1G Distribuitor
NTMFD4C20NT1G Tabel de date
NTMFD4C20NT1G Fotografii
NTMFD4C20NT1G Preț
NTMFD4C20NT1G Oferi
NTMFD4C20NT1G Cel mai mic pret
NTMFD4C20NT1G Căutare
NTMFD4C20NT1G Achizitie
NTMFD4C20NT1G Chip