Buy NXP USA Inc. PMGD8000LN,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

PMGD8000LN,115

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Numărul piesei

PMGD8000LN,115

Producator/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Putere - Max

200mW

Pachetul dispozitivului furnizorului

6-TSSOP

Tip FET

2 N-Channel (Dual)

Caracteristica FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

125mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

18.5pF @ 5V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 21724 PCS

Informații de contact