Buy NXP USA Inc. BUK951R6-30E,127 MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

BUK951R6-30E,127

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Numărul piesei

BUK951R6-30E,127

Producator/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-220-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-220AB

Disiparea puterii (max.)

349W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

16150pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

5V, 10V

Vgs (Max)

±10V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 45997 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

BUK9107-40ATC,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK