Buy Nexperia USA Inc. PSMN1R6-40YLC:115 MOSFET N-CH 40V 100A POWERSO8-4

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

PSMN1R6-40YLC:115

MOSFET N-CH 40V 100A POWERSO8-4

Numărul piesei

PSMN1R6-40YLC:115

Producator/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Stare piese

Last Time Buy

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SOT-1023, 4-LFPAK

Pachetul dispozitivului furnizorului

LFPAK56, Power-SO8

Disiparea puterii (max.)

288W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.55 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.95V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

7790pF @ 20V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 17846 PCS

Informații de contact