Buy Nexperia USA Inc. PSMN130-200D,118 MOSFET N-CH 200V 20A DPAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

PSMN130-200D,118

MOSFET N-CH 200V 20A DPAK

Numărul piesei

PSMN130-200D,118

Producator/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

DPAK

Disiparea puterii (max.)

150W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2470pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 11746 PCS

Informații de contact