Buy Nexperia USA Inc. PSMN013-100ES,127 MOSFET N-CH 100V I2PAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

PSMN013-100ES,127

MOSFET N-CH 100V I2PAK

Numărul piesei

PSMN013-100ES,127

Producator/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

I2PAK

Disiparea puterii (max.)

170W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

68A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.9 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3195pF @ 50V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 9960 PCS

Informații de contact