Buy Nexperia USA Inc. PMZB600UNEYL MOSFET N-CH 20V 3QFN

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

PMZB600UNEYL

MOSFET N-CH 20V 3QFN

Numărul piesei

PMZB600UNEYL

Producator/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

3-XFDFN

Pachetul dispozitivului furnizorului

DFN1006B-3

Disiparea puterii (max.)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

600mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

620 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

21.3pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 42451 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

PMZB1200UPEYL

MOSFET P-CH 30V SOT883