Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFH12N50F

IXFH12N50F

MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Numărul piesei
IXFH12N50F
Producator/Marca
Serie
HiPerRF™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-247-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-247 (IXFH)
Disiparea puterii (max.)
180W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 18562 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFH12N50F
IXFH12N50F Componente electronice
IXFH12N50F Vânzări
IXFH12N50F Furnizor
IXFH12N50F Distribuitor
IXFH12N50F Tabel de date
IXFH12N50F Fotografii
IXFH12N50F Preț
IXFH12N50F Oferi
IXFH12N50F Cel mai mic pret
IXFH12N50F Căutare
IXFH12N50F Achizitie
IXFH12N50F Chip