Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2

MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Numărul piesei
IXTY1R6N50D2
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-252, (D-Pak)
Disiparea puterii (max.)
100W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
Depletion Mode
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23.7nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
-
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 17442 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTY1R6N50D2
IXTY1R6N50D2 Componente electronice
IXTY1R6N50D2 Vânzări
IXTY1R6N50D2 Furnizor
IXTY1R6N50D2 Distribuitor
IXTY1R6N50D2 Tabel de date
IXTY1R6N50D2 Fotografii
IXTY1R6N50D2 Preț
IXTY1R6N50D2 Oferi
IXTY1R6N50D2 Cel mai mic pret
IXTY1R6N50D2 Căutare
IXTY1R6N50D2 Achizitie
IXTY1R6N50D2 Chip