Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
Numărul piesei
IXTT4N150HV
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-268
Disiparea puterii (max.)
280W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1500V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44.5nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1576pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 27059 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTT4N150HV
IXTT4N150HV Componente electronice
IXTT4N150HV Vânzări
IXTT4N150HV Furnizor
IXTT4N150HV Distribuitor
IXTT4N150HV Tabel de date
IXTT4N150HV Fotografii
IXTT4N150HV Preț
IXTT4N150HV Oferi
IXTT4N150HV Cel mai mic pret
IXTT4N150HV Căutare
IXTT4N150HV Achizitie
IXTT4N150HV Chip