Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTT20N50D

IXTT20N50D

MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
Numărul piesei
IXTT20N50D
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-268
Disiparea puterii (max.)
400W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
Depletion Mode
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 48428 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTT20N50D
IXTT20N50D Componente electronice
IXTT20N50D Vânzări
IXTT20N50D Furnizor
IXTT20N50D Distribuitor
IXTT20N50D Tabel de date
IXTT20N50D Fotografii
IXTT20N50D Preț
IXTT20N50D Oferi
IXTT20N50D Cel mai mic pret
IXTT20N50D Căutare
IXTT20N50D Achizitie
IXTT20N50D Chip