Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTT12N150

IXTT12N150

MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
Numărul piesei
IXTT12N150
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-268
Disiparea puterii (max.)
890W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1500V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
106nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3720pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 39478 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTT12N150
IXTT12N150 Componente electronice
IXTT12N150 Vânzări
IXTT12N150 Furnizor
IXTT12N150 Distribuitor
IXTT12N150 Tabel de date
IXTT12N150 Fotografii
IXTT12N150 Preț
IXTT12N150 Oferi
IXTT12N150 Cel mai mic pret
IXTT12N150 Căutare
IXTT12N150 Achizitie
IXTT12N150 Chip