Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTQ75N10P

IXTQ75N10P

MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
Numărul piesei
IXTQ75N10P
Producator/Marca
Serie
PolarHT™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-3P-3, SC-65-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-3P
Disiparea puterii (max.)
360W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2250pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 28775 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTQ75N10P
IXTQ75N10P Componente electronice
IXTQ75N10P Vânzări
IXTQ75N10P Furnizor
IXTQ75N10P Distribuitor
IXTQ75N10P Tabel de date
IXTQ75N10P Fotografii
IXTQ75N10P Preț
IXTQ75N10P Oferi
IXTQ75N10P Cel mai mic pret
IXTQ75N10P Căutare
IXTQ75N10P Achizitie
IXTQ75N10P Chip