Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTP8N70X2M

IXTP8N70X2M

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220
Numărul piesei
IXTP8N70X2M
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-220-3 Isolated Tab
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-220 Overmolded
Disiparea puterii (max.)
32W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 10V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 41791 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTP8N70X2M
IXTP8N70X2M Componente electronice
IXTP8N70X2M Vânzări
IXTP8N70X2M Furnizor
IXTP8N70X2M Distribuitor
IXTP8N70X2M Tabel de date
IXTP8N70X2M Fotografii
IXTP8N70X2M Preț
IXTP8N70X2M Oferi
IXTP8N70X2M Cel mai mic pret
IXTP8N70X2M Căutare
IXTP8N70X2M Achizitie
IXTP8N70X2M Chip