Buy IXYS IXTP1R4N120P MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXTP1R4N120P

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220

Numărul piesei

IXTP1R4N120P

Producator/Marca

IXYS

Serie

Polar™

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-220-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-220AB

Disiparea puterii (max.)

86W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

1.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

24.8nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

666pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 46251 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB