Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTP1R4N120P

IXTP1R4N120P

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
Numărul piesei
IXTP1R4N120P
Producator/Marca
Serie
Polar™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-220-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-220AB
Disiparea puterii (max.)
86W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24.8nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
666pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 46251 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTP1R4N120P
IXTP1R4N120P Componente electronice
IXTP1R4N120P Vânzări
IXTP1R4N120P Furnizor
IXTP1R4N120P Distribuitor
IXTP1R4N120P Tabel de date
IXTP1R4N120P Fotografii
IXTP1R4N120P Preț
IXTP1R4N120P Oferi
IXTP1R4N120P Cel mai mic pret
IXTP1R4N120P Căutare
IXTP1R4N120P Achizitie
IXTP1R4N120P Chip