Buy IXYS IXTN30N100L MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXTN30N100L

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227

Numărul piesei

IXTN30N100L

Producator/Marca

IXYS

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Bulk

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet / Cutie

SOT-227-4, miniBLOC

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-227B

Disiparea puterii (max.)

800W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1000V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 15A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

545nC @ 20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

20V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 23127 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXTN102N65X2

MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227