Buy IXYS IXTN22N100L MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXTN22N100L

MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227

Numărul piesei

IXTN22N100L

Producator/Marca

IXYS

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet / Cutie

SOT-227-4, miniBLOC

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-227B

Disiparea puterii (max.)

700W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1000V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

22A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 11A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 15V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

7050pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

20V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 18056 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXTN102N65X2

MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227