Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTN21N100

IXTN21N100

MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
Numărul piesei
IXTN21N100
Producator/Marca
Serie
MegaMOS™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Cutie
SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-227B
Disiparea puterii (max.)
520W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 500µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8400pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 22840 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTN21N100
IXTN21N100 Componente electronice
IXTN21N100 Vânzări
IXTN21N100 Furnizor
IXTN21N100 Distribuitor
IXTN21N100 Tabel de date
IXTN21N100 Fotografii
IXTN21N100 Preț
IXTN21N100 Oferi
IXTN21N100 Cel mai mic pret
IXTN21N100 Căutare
IXTN21N100 Achizitie
IXTN21N100 Chip