Buy IXYS IXTH3N200P3HV MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXTH3N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247

Numărul piesei

IXTH3N200P3HV

Producator/Marca

IXYS

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-247-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-247

Disiparea puterii (max.)

520W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

2000V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 34245 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXTH02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247