Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTH3N200P3HV

IXTH3N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
Numărul piesei
IXTH3N200P3HV
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-247-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-247
Disiparea puterii (max.)
520W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
2000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1860pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 34245 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTH3N200P3HV
IXTH3N200P3HV Componente electronice
IXTH3N200P3HV Vânzări
IXTH3N200P3HV Furnizor
IXTH3N200P3HV Distribuitor
IXTH3N200P3HV Tabel de date
IXTH3N200P3HV Fotografii
IXTH3N200P3HV Preț
IXTH3N200P3HV Oferi
IXTH3N200P3HV Cel mai mic pret
IXTH3N200P3HV Căutare
IXTH3N200P3HV Achizitie
IXTH3N200P3HV Chip