Buy IXYS IXTF6N200P3 MOSFET N-CH

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXTF6N200P3

MOSFET N-CH

Numărul piesei

IXTF6N200P3

Producator/Marca

IXYS

Serie

Polar™

Stare piese

Active

Ambalare

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Pachetul dispozitivului furnizorului

ISOPLUS i4-PAC™

Disiparea puterii (max.)

215W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

2000V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 9127 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXTF02N450

MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK