Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTA86N20T

IXTA86N20T

MOSFET N-CH 200V 86A TO-263
Numărul piesei
IXTA86N20T
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-263 (IXTA)
Disiparea puterii (max.)
480W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 32094 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTA86N20T
IXTA86N20T Componente electronice
IXTA86N20T Vânzări
IXTA86N20T Furnizor
IXTA86N20T Distribuitor
IXTA86N20T Tabel de date
IXTA86N20T Fotografii
IXTA86N20T Preț
IXTA86N20T Oferi
IXTA86N20T Cel mai mic pret
IXTA86N20T Căutare
IXTA86N20T Achizitie
IXTA86N20T Chip