Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTA50N25T

IXTA50N25T

MOSFET N-CH 250V 50A TO-263
Numărul piesei
IXTA50N25T
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-263 (IXTA)
Disiparea puterii (max.)
400W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 19000 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTA50N25T
IXTA50N25T Componente electronice
IXTA50N25T Vânzări
IXTA50N25T Furnizor
IXTA50N25T Distribuitor
IXTA50N25T Tabel de date
IXTA50N25T Fotografii
IXTA50N25T Preț
IXTA50N25T Oferi
IXTA50N25T Cel mai mic pret
IXTA50N25T Căutare
IXTA50N25T Achizitie
IXTA50N25T Chip