Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTA3N100D2

IXTA3N100D2

MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
Numărul piesei
IXTA3N100D2
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-263 (IXTA)
Disiparea puterii (max.)
125W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
Depletion Mode
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
37.5nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
-
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 22366 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTA3N100D2
IXTA3N100D2 Componente electronice
IXTA3N100D2 Vânzări
IXTA3N100D2 Furnizor
IXTA3N100D2 Distribuitor
IXTA3N100D2 Tabel de date
IXTA3N100D2 Fotografii
IXTA3N100D2 Preț
IXTA3N100D2 Oferi
IXTA3N100D2 Cel mai mic pret
IXTA3N100D2 Căutare
IXTA3N100D2 Achizitie
IXTA3N100D2 Chip