Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTA2N100

IXTA2N100

MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Numărul piesei
IXTA2N100
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-263 (IXTA)
Disiparea puterii (max.)
100W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
825pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 37964 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTA2N100
IXTA2N100 Componente electronice
IXTA2N100 Vânzări
IXTA2N100 Furnizor
IXTA2N100 Distribuitor
IXTA2N100 Tabel de date
IXTA2N100 Fotografii
IXTA2N100 Preț
IXTA2N100 Oferi
IXTA2N100 Cel mai mic pret
IXTA2N100 Căutare
IXTA2N100 Achizitie
IXTA2N100 Chip