Buy IXYS IXTA1R6N100D2HV MOSFET N-CH

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXTA1R6N100D2HV

MOSFET N-CH

Numărul piesei

IXTA1R6N100D2HV

Producator/Marca

IXYS

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-263HV

Disiparea puterii (max.)

100W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Depletion Mode

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1000V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

1.6A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

645pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 8784 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXTA02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263