Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTA1N100

IXTA1N100

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
Numărul piesei
IXTA1N100
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-263 (IXTA)
Disiparea puterii (max.)
54W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 49707 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTA1N100
IXTA1N100 Componente electronice
IXTA1N100 Vânzări
IXTA1N100 Furnizor
IXTA1N100 Distribuitor
IXTA1N100 Tabel de date
IXTA1N100 Fotografii
IXTA1N100 Preț
IXTA1N100 Oferi
IXTA1N100 Cel mai mic pret
IXTA1N100 Căutare
IXTA1N100 Achizitie
IXTA1N100 Chip