Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXTA12N65X2

IXTA12N65X2

MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
Numărul piesei
IXTA12N65X2
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-263AA
Disiparea puterii (max.)
180W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 31667 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXTA12N65X2
IXTA12N65X2 Componente electronice
IXTA12N65X2 Vânzări
IXTA12N65X2 Furnizor
IXTA12N65X2 Distribuitor
IXTA12N65X2 Tabel de date
IXTA12N65X2 Fotografii
IXTA12N65X2 Preț
IXTA12N65X2 Oferi
IXTA12N65X2 Cel mai mic pret
IXTA12N65X2 Căutare
IXTA12N65X2 Achizitie
IXTA12N65X2 Chip