Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFT50N30Q3

IXFT50N30Q3

MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
Numărul piesei
IXFT50N30Q3
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-268
Disiparea puterii (max.)
690W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3165pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 9385 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFT50N30Q3
IXFT50N30Q3 Componente electronice
IXFT50N30Q3 Vânzări
IXFT50N30Q3 Furnizor
IXFT50N30Q3 Distribuitor
IXFT50N30Q3 Tabel de date
IXFT50N30Q3 Fotografii
IXFT50N30Q3 Preț
IXFT50N30Q3 Oferi
IXFT50N30Q3 Cel mai mic pret
IXFT50N30Q3 Căutare
IXFT50N30Q3 Achizitie
IXFT50N30Q3 Chip