Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFT50N20

IXFT50N20

MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
Numărul piesei
IXFT50N20
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-268
Disiparea puterii (max.)
300W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 24998 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFT50N20
IXFT50N20 Componente electronice
IXFT50N20 Vânzări
IXFT50N20 Furnizor
IXFT50N20 Distribuitor
IXFT50N20 Tabel de date
IXFT50N20 Fotografii
IXFT50N20 Preț
IXFT50N20 Oferi
IXFT50N20 Cel mai mic pret
IXFT50N20 Căutare
IXFT50N20 Achizitie
IXFT50N20 Chip