Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFT320N10T2

IXFT320N10T2

MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
Numărul piesei
IXFT320N10T2
Producator/Marca
Serie
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-268
Disiparea puterii (max.)
1000W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
430nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
26000pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 41707 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFT320N10T2
IXFT320N10T2 Componente electronice
IXFT320N10T2 Vânzări
IXFT320N10T2 Furnizor
IXFT320N10T2 Distribuitor
IXFT320N10T2 Tabel de date
IXFT320N10T2 Fotografii
IXFT320N10T2 Preț
IXFT320N10T2 Oferi
IXFT320N10T2 Cel mai mic pret
IXFT320N10T2 Căutare
IXFT320N10T2 Achizitie
IXFT320N10T2 Chip