Buy IXYS IXFT320N10T2 MOSFET N-CH 100V 320A TO-26

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXFT320N10T2

MOSFET N-CH 100V 320A TO-26

Numărul piesei

IXFT320N10T2

Producator/Marca

IXYS

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-268

Disiparea puterii (max.)

1000W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

320A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

430nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

26000pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 41707 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXFT100N30X3HV

300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS