Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFT30N50Q3

IXFT30N50Q3

MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
Numărul piesei
IXFT30N50Q3
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-268
Disiparea puterii (max.)
690W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 19784 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFT30N50Q3
IXFT30N50Q3 Componente electronice
IXFT30N50Q3 Vânzări
IXFT30N50Q3 Furnizor
IXFT30N50Q3 Distribuitor
IXFT30N50Q3 Tabel de date
IXFT30N50Q3 Fotografii
IXFT30N50Q3 Preț
IXFT30N50Q3 Oferi
IXFT30N50Q3 Cel mai mic pret
IXFT30N50Q3 Căutare
IXFT30N50Q3 Achizitie
IXFT30N50Q3 Chip