Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFT26N50
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
Numărul piesei
IXFT26N50
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-268
Disiparea puterii (max.)
300W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 23322 PCS
Informații de contact
produse asemanatoare
Cuvinte cheie ale IXFT26N50
IXFT26N50 Componente electronice
IXFT26N50 Vânzări
IXFT26N50 Furnizor
IXFT26N50 Distribuitor
IXFT26N50 Tabel de date
IXFT26N50 Fotografii
IXFT26N50 Preț
IXFT26N50 Oferi
IXFT26N50 Cel mai mic pret
IXFT26N50 Căutare
IXFT26N50 Achizitie
IXFT26N50 Chip