Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFT24N80P

IXFT24N80P

MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
Numărul piesei
IXFT24N80P
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarHT™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-268
Disiparea puterii (max.)
650W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7200pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 43706 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFT24N80P
IXFT24N80P Componente electronice
IXFT24N80P Vânzări
IXFT24N80P Furnizor
IXFT24N80P Distribuitor
IXFT24N80P Tabel de date
IXFT24N80P Fotografii
IXFT24N80P Preț
IXFT24N80P Oferi
IXFT24N80P Cel mai mic pret
IXFT24N80P Căutare
IXFT24N80P Achizitie
IXFT24N80P Chip