Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFT13N80Q

IXFT13N80Q

MOSFET N-CH 800V 13A TO-268
Numărul piesei
IXFT13N80Q
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-268
Disiparea puterii (max.)
250W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3250pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 52926 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFT13N80Q
IXFT13N80Q Componente electronice
IXFT13N80Q Vânzări
IXFT13N80Q Furnizor
IXFT13N80Q Distribuitor
IXFT13N80Q Tabel de date
IXFT13N80Q Fotografii
IXFT13N80Q Preț
IXFT13N80Q Oferi
IXFT13N80Q Cel mai mic pret
IXFT13N80Q Căutare
IXFT13N80Q Achizitie
IXFT13N80Q Chip