Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFR32N100Q3

IXFR32N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
Numărul piesei
IXFR32N100Q3
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-247-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
ISOPLUS247™
Disiparea puterii (max.)
570W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9940pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 54584 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFR32N100Q3
IXFR32N100Q3 Componente electronice
IXFR32N100Q3 Vânzări
IXFR32N100Q3 Furnizor
IXFR32N100Q3 Distribuitor
IXFR32N100Q3 Tabel de date
IXFR32N100Q3 Fotografii
IXFR32N100Q3 Preț
IXFR32N100Q3 Oferi
IXFR32N100Q3 Cel mai mic pret
IXFR32N100Q3 Căutare
IXFR32N100Q3 Achizitie
IXFR32N100Q3 Chip