Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFR26N120P

IXFR26N120P

MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247
Numărul piesei
IXFR26N120P
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
ISOPLUS247™
Pachetul dispozitivului furnizorului
ISOPLUS247™
Disiparea puterii (max.)
320W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 21359 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFR26N120P
IXFR26N120P Componente electronice
IXFR26N120P Vânzări
IXFR26N120P Furnizor
IXFR26N120P Distribuitor
IXFR26N120P Tabel de date
IXFR26N120P Fotografii
IXFR26N120P Preț
IXFR26N120P Oferi
IXFR26N120P Cel mai mic pret
IXFR26N120P Căutare
IXFR26N120P Achizitie
IXFR26N120P Chip