Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFR26N100P

IXFR26N100P

MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
Numărul piesei
IXFR26N100P
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
ISOPLUS247™
Pachetul dispozitivului furnizorului
ISOPLUS247™
Disiparea puterii (max.)
290W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
197nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11900pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 20693 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFR26N100P
IXFR26N100P Componente electronice
IXFR26N100P Vânzări
IXFR26N100P Furnizor
IXFR26N100P Distribuitor
IXFR26N100P Tabel de date
IXFR26N100P Fotografii
IXFR26N100P Preț
IXFR26N100P Oferi
IXFR26N100P Cel mai mic pret
IXFR26N100P Căutare
IXFR26N100P Achizitie
IXFR26N100P Chip