Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFR14N100Q2

IXFR14N100Q2

MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247
Numărul piesei
IXFR14N100Q2
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
ISOPLUS247™
Pachetul dispozitivului furnizorului
ISOPLUS247™
Disiparea puterii (max.)
200W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 24747 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFR14N100Q2
IXFR14N100Q2 Componente electronice
IXFR14N100Q2 Vânzări
IXFR14N100Q2 Furnizor
IXFR14N100Q2 Distribuitor
IXFR14N100Q2 Tabel de date
IXFR14N100Q2 Fotografii
IXFR14N100Q2 Preț
IXFR14N100Q2 Oferi
IXFR14N100Q2 Cel mai mic pret
IXFR14N100Q2 Căutare
IXFR14N100Q2 Achizitie
IXFR14N100Q2 Chip