Buy IXYS IXFQ60N60X MOSFET N-CH 600V 60A TO3P

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXFQ60N60X

MOSFET N-CH 600V 60A TO3P

Numărul piesei

IXFQ60N60X

Producator/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-3P-3, SC-65-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-3P

Disiparea puterii (max.)

890W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 21508 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXFQ10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P