Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFP5N100P
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
Numărul piesei
IXFP5N100P
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-220-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-220AB
Disiparea puterii (max.)
250W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33.4nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1830pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 26129 PCS
Informații de contact
produse asemanatoare
Cuvinte cheie ale IXFP5N100P
IXFP5N100P Componente electronice
IXFP5N100P Vânzări
IXFP5N100P Furnizor
IXFP5N100P Distribuitor
IXFP5N100P Tabel de date
IXFP5N100P Fotografii
IXFP5N100P Preț
IXFP5N100P Oferi
IXFP5N100P Cel mai mic pret
IXFP5N100P Căutare
IXFP5N100P Achizitie
IXFP5N100P Chip