Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFP180N10T2

IXFP180N10T2

MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Numărul piesei
IXFP180N10T2
Producator/Marca
Serie
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-220-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-220AB
Disiparea puterii (max.)
480W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10500pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 16202 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFP180N10T2
IXFP180N10T2 Componente electronice
IXFP180N10T2 Vânzări
IXFP180N10T2 Furnizor
IXFP180N10T2 Distribuitor
IXFP180N10T2 Tabel de date
IXFP180N10T2 Fotografii
IXFP180N10T2 Preț
IXFP180N10T2 Oferi
IXFP180N10T2 Cel mai mic pret
IXFP180N10T2 Căutare
IXFP180N10T2 Achizitie
IXFP180N10T2 Chip