Buy IXYS IXFK360N10T MOSFET N-CH 100V 360A TO-264

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXFK360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A TO-264

Numărul piesei

IXFK360N10T

Producator/Marca

IXYS

Serie

GigaMOS™ HiPerFET™

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-264-3, TO-264AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-264AA (IXFK)

Disiparea puterii (max.)

1250W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

360A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 3mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

525nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

33000pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 26867 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXFK100N10

MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA