Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFH6N100Q

IXFH6N100Q

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
Numărul piesei
IXFH6N100Q
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-247-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-247AD (IXFH)
Disiparea puterii (max.)
180W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 27559 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFH6N100Q
IXFH6N100Q Componente electronice
IXFH6N100Q Vânzări
IXFH6N100Q Furnizor
IXFH6N100Q Distribuitor
IXFH6N100Q Tabel de date
IXFH6N100Q Fotografii
IXFH6N100Q Preț
IXFH6N100Q Oferi
IXFH6N100Q Cel mai mic pret
IXFH6N100Q Căutare
IXFH6N100Q Achizitie
IXFH6N100Q Chip