Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFH26N50P

IXFH26N50P

MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
Numărul piesei
IXFH26N50P
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarHT™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-247-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-247AD (IXFH)
Disiparea puterii (max.)
400W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 18136 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFH26N50P
IXFH26N50P Componente electronice
IXFH26N50P Vânzări
IXFH26N50P Furnizor
IXFH26N50P Distribuitor
IXFH26N50P Tabel de date
IXFH26N50P Fotografii
IXFH26N50P Preț
IXFH26N50P Oferi
IXFH26N50P Cel mai mic pret
IXFH26N50P Căutare
IXFH26N50P Achizitie
IXFH26N50P Chip