Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFH18N100Q3

IXFH18N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Numărul piesei
IXFH18N100Q3
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-247-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-247AD (IXFH)
Disiparea puterii (max.)
830W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4890pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 16139 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFH18N100Q3
IXFH18N100Q3 Componente electronice
IXFH18N100Q3 Vânzări
IXFH18N100Q3 Furnizor
IXFH18N100Q3 Distribuitor
IXFH18N100Q3 Tabel de date
IXFH18N100Q3 Fotografii
IXFH18N100Q3 Preț
IXFH18N100Q3 Oferi
IXFH18N100Q3 Cel mai mic pret
IXFH18N100Q3 Căutare
IXFH18N100Q3 Achizitie
IXFH18N100Q3 Chip