Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFH16N120P

IXFH16N120P

MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
Numărul piesei
IXFH16N120P
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-247-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-247AD (IXFH)
Disiparea puterii (max.)
660W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 32968 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFH16N120P
IXFH16N120P Componente electronice
IXFH16N120P Vânzări
IXFH16N120P Furnizor
IXFH16N120P Distribuitor
IXFH16N120P Tabel de date
IXFH16N120P Fotografii
IXFH16N120P Preț
IXFH16N120P Oferi
IXFH16N120P Cel mai mic pret
IXFH16N120P Căutare
IXFH16N120P Achizitie
IXFH16N120P Chip