Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IXFA5N100P

IXFA5N100P

MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
Numărul piesei
IXFA5N100P
Producator/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-263 (IXFA)
Disiparea puterii (max.)
250W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33.4nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1830pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 50291 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IXFA5N100P
IXFA5N100P Componente electronice
IXFA5N100P Vânzări
IXFA5N100P Furnizor
IXFA5N100P Distribuitor
IXFA5N100P Tabel de date
IXFA5N100P Fotografii
IXFA5N100P Preț
IXFA5N100P Oferi
IXFA5N100P Cel mai mic pret
IXFA5N100P Căutare
IXFA5N100P Achizitie
IXFA5N100P Chip