Buy IXYS IXFA5N100P MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IXFA5N100P

MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263

Numărul piesei

IXFA5N100P

Producator/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-263 (IXFA)

Disiparea puterii (max.)

250W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1000V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

33.4nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1830pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 50291 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IXFA102N15T

MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK