Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IRFSL4410PBF

IRFSL4410PBF

MOSFET N-CH 100V 88A TO-262
Numărul piesei
IRFSL4410PBF
Producator/Marca
Serie
HEXFET®
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-262
Disiparea puterii (max.)
200W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5150pF @ 50V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 29324 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IRFSL4410PBF
IRFSL4410PBF Componente electronice
IRFSL4410PBF Vânzări
IRFSL4410PBF Furnizor
IRFSL4410PBF Distribuitor
IRFSL4410PBF Tabel de date
IRFSL4410PBF Fotografii
IRFSL4410PBF Preț
IRFSL4410PBF Oferi
IRFSL4410PBF Cel mai mic pret
IRFSL4410PBF Căutare
IRFSL4410PBF Achizitie
IRFSL4410PBF Chip